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随着人工智能的发展,忆阻器因其“存算一体”的特性被越来越多的研究者关注。近日,河北大学教授闫小兵团队报道了一种全新材料结构。由鈦酸钡掺杂低介电系数材料二氧化铈的垂直排列纳米复合(VANs)铁电薄膜作为忆阻介质,他们成功获得了硅基外延铁电薄膜。
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